MCU设计上的注意事项
1.降低外时钟频率
外时钟是高频的噪声源,除能引起对本应用系统的干扰之外,还可能产生对外界的干扰,以8051单片机为例最短指令周期1μs时,外时钟是12MHz。而同样速度的Motorola单片机系统时钟只需4MHz微控制器产生的最有影响的高频噪声大约是时钟频率的3倍。
2.低噪声系列单片机
改进的技术将电源、地安排在两个相邻的引脚上,外部去耦电容在PCB设计上更容易安排。
3.时钟监测电路、看门狗技术与低电压复位
时钟监控有效与省电指令STOP是一对矛盾。只能使用其中之一。 看门狗技术是监测应用程序中的一段定时中断低电压复位技术是监测单片机电源电压,当电压低于某一值时产生复位信号。由于单片机技术的发展,单片机本身对电源电压范围的要求越来越宽。电源电压从当初的5V降至3.3V并继续下降到2.7V、2.2V、1.8V。在是否使用低电压复位功能时应根据具体应用情况权衡一下。
- EFT技术
毛刺会成为触发信号干扰正常的时钟信号。交替使用施密特电路和RC滤波可以使这类毛刺不起作用,这就是EFT技术。
5.软件方面的措施
单片机本身在指令设计上也有一些抗干扰的考虑
以上提到的是当前广泛使用的单片机应该具有的内部抗干扰措施。在选用单片机时,要检查一下这些性能是否都有,以求设计出可靠性高的系统。这里要提醒的是最后对不用的ROM要做处理。原则是万一程序落到这里可以自恢复。
用于单片机系统的干扰抑制元件
1.去耦电容
每个集成电路的电源、地之间应配置一个去耦电容, 吸收或提供该集成电路内部三极管导通、截止引起的电流变化(di/dt),从而降低系统噪声, 要选高频特性好的独石电容或瓷片电容作去耦电容。每块印制电路板电源引入的地方要安放一只大容量的储能电容。钽电容则比电解电容效果更好,使用时要与去耦电容成对使用
2.抑制高频的电感
用粗漆包线穿入轴向有几个孔的铁氧体芯,就构成了高频扼制器件。将其串入电源线或地线中可阻止高频信号从电源/地线引入。这种元件特别适用于隔开一块印制电路板上的模拟电路区、数字电路区、以及大功率驱动区的供电。应该注意的是它必须放在该区储能电容与电源之间而不能放在储能电容与用电器件之间
3.自恢复保险丝
这是用一种新型高分子聚合材料制成的器件,当电流低于其额定值时,它的直流电阻只有零点几欧。而电流大到一定程度,它的阻值迅速升高,引起发热,而越热电阻越大,从而阻断电源电流。当温度降下来以后能自动恢复正常。这种器件可防止CMOS器件在遇到强冲击型干扰时引起所谓“可控硅触发”现象。这种现象指集成电路硅片的基体变得导通,从而引起电流增大,导致CMOS集成电路发热乃至烧毁。
4.防雷击器件
室外使用的单片机系统或电源线、信号线从室外架空引入室内的,要考虑系统的防雷击问题
气体放电管TVS, 这类元器件要和抗共模和抗差模干扰的电感配合使用以提高抗干扰效果。
提高单片机系统抗干扰能力的主要手段
1.接地
这里的接地指接大地,也称作保护地。为单片机系统提供良好的地线,对提高系统的抗干扰能力极为有益。特别是对有防雷击要求的系统,良好的接地至关重要为单片机供电的电源的地俗称逻辑地,它们和大地的地的关系可以相通、浮空、或接一电阻,要视应用场合而定。不能把地线随便接在暖气管子上。绝对不能把接地线与动力线的火线、零线中的零线混淆。
2.隔离与屏蔽
典型的信号隔离是光电隔离。屏蔽则是用来隔离空间辐射的,对噪声特别大的部件,如开关电源,用金属盒罩起来。对特别怕干扰的模拟电路,如高灵敏度的弱信号放大电路可屏蔽起来。而重要的是金属屏蔽本身必须接真正的地。
3.滤波
滤波器的配置指标是插入损耗。插入损耗过低起不到抑制噪声的作用,而过高的插入损耗会导致“漏电”。
印制电路板的布线与工艺
印制电路板的设计对单片机系统能否抗干扰非常重要。要本着尽量控制噪声源、尽量减小噪声的传播与耦合,尽量减小噪声的吸收这三大原则设计印制电路板和布线。当你设计单片机用印制电路板时,不仿对照下面的条条检查一下。
·印制电路板要合理区分,单片机系统通常可分三区,即模拟电路区(怕干扰),数字电路区(即怕干扰、又产生干扰),功率驱动区(干扰源)。
·印刷板按单点接电源、单点接地原则送电。三个区域的电源线、地线由该点分三路引出。噪声元件与非噪声元件要离得远一些。
·时钟振荡电路、特殊高速逻辑电路部分用地线圈起来。让周围电场趋近于零。
·能用低速的就不用高速的,高速器件只用在关键的地方。
·使用满足系统要求的最低频率的时钟,时钟产生器要尽量靠近用到该时钟的器件。
·石英晶体振荡器外壳要接地,时钟线要尽量短,且不要引得到处都是。
·使用450的折线布线,不要使用900折线,以减小高频信号的发射。
·单面板、双面板,电源线、地线要尽量的粗。信号线的过孔要尽量少。
·4 层板比双面板噪声低20dB。6层板比4层板噪声低10dB。经济条件允许时尽量用多层板。
·关键的线尽量短并要尽量粗,并在两边加上保护地。将敏感信号和噪声场带信号通过一条扁带电缆引出的话,要用地线-信号-地线-信号-地线的方式引出。
·石英振荡器下面、噪声敏感器件下面要加大地的面积而不应该走其它信号线。
·任何信号线都不要形成环路,如不可避免,环路应尽量小。
·时钟线垂直于I/O线比平行于I/O线干扰小,时钟线要远离I/O线。
·对A/D类器件,数字部分与模拟部分宁可绕一下也不要交叉。噪声敏感线不要与高速线、大电流线平行。
·单片机及其它IC电路,如有多个电源、地端的话,每端都要加一个去耦电容。
·单片机不用的I/O端口要定义成输出。
·每个集成电路要加一个去耦电容,要选高频信号好的独石电容式瓷片电容作去耦电容。去耦电容焊在印制电路板上时,引脚要尽量短。
·从高噪声区来的信号要加滤波。继电器线圈处要加放电二极管。可以用串一个电阻的办法来软化I/O线的跳变沿或提供一定的阻尼。
·用大容量的钽电容或聚脂电容而不用电解电容作电路充电的储能电容。因为电解电容分布电感较大,对高频无效。使用电解电容时要与高特性好的去耦电容成对使用。
·需要时,电源线、地线上可加用铜线绕制铁氧体而成的高频扼流器件阻断高频噪声的传导。
·弱信号引出线、高频、大功率引出电缆要加屏蔽。引出线与地线要绞起来。
·印刷板过大、或信号线频率过高,使得线上的延迟时间大于等于信号上升时间时,该线要按传输线处理,要加终端匹配电阻。
·尽量不要使用IC 插座,把IC直接焊在印刷板上,IC座有较大的分布电容。
DC-DC LDO的区别、LDO主要考虑哪些指标
LDO:低压差线性稳压器,仅用于降压,使用P沟道场效应管 DC-DC 控制方式,PWM/PFM转换型小负载时实行PFM控制,且在重负载时自动转换到PWM控制
1、DCtoDC包括boost(升压)、buck(降压)、Boost/buck(升/降压)和反相结构,具有高效率、高输出电流、低静态电流等特点,随着集成度的提高,许多新型DC-DC转换器的外围电路仅需电感和滤波电容;但该类电源控制器的输出纹波和开关噪声较大、成本相对较高。
2、LDO:低压差线性稳压器的突出优点是具有最低的成本,最低的噪声和最低的静态电流。它的外围器件也很少,通常只有一两个旁路电容。新型LDO可达到以下指标:30μV输出噪声、60dBPSRR(电源纹波抑制比,越大越好)、6μA静态电流及100mV的压差。
开关电源三种拓扑
首先从效率上说,DC/DC的效率普遍要远高于LDO,这是其工作原理决定的。其次,DC/DC有Boost,Buck,Boost/Buck,(有人把ChargePump也归为此类)。而LDO只有降压型。 再次,也是很重要的一点,DC/DC因为其开关频率的原因导致其电源噪声很大,远比LDO大的多,大家可以关注PSRR这个参数。所以当考虑到比较敏感的模拟电路时候,有可能就要牺牲效率为保证电源的纯净而选择LDO。 还有,通常LDO所需要的外围器件简单,占面积小,而DC/DC一般都会要求电感,二极管,大电容,有的还会要MOSFET,特别是Boost电路,需要考虑电感的最大工作电流,二极管的反向恢复时间,大电容的ESR等等,所以从外围器件的选择来说比LDO复杂,而且占面积也相应的会大很多。 LDO主要参数 1.输出电压(OutputVoltage) 2.最大输出电流(MaximumOutputCurrent) 3.输入输出电压差(DropoutVoltage) 4.接地电流(GroundPinCurrent) 5.负载调整率(LoadRegulaTIon) 6.线性调整率(LineRegulaTIon) 7.电源抑制比(PSSR)
DC-DC开关频率多少、开关频率高低的影响、与效率的关系
高开关频率的交换式电源转换器有利也有弊,本文提到的好处包括体积更小、瞬时响应更快以及电压overshoot 和undershoot 值都更小,主要缺点则是效率降低和热量增加。
晶振三点式电路
每个单片机系统里都有晶振,全程是叫晶体震荡器,在单片机系统里晶振的作用非常大,他结合单片机内部的电路,产生单片机所必须的时钟频率,单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的,晶振的提供的时钟频率越高,那单片机的运行速度也就越快。
晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,精确的单频振荡。 在通常工作条件下,普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十,高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率,称为压控振荡器(VCO)。 晶振系统提供基本的时钟信号。 通常一个系统共用一个晶振,便于各部分保持同步,有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振,而通过电子调整频率的方法保持同步
三极管和mos管的工作原理、差异和应用区别
三极管电压控制器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关 mos管是电流控制器件,放大效果比三极管差。
一个差分传输电路,四小问。分别是:平板电容的公式、电路的作用、电路PCB布局布线需要考虑的点、该电路有什么改进的地方
电流大小及线径的计算
Usb2.0、USB3.0传输速率多少、阻抗控制多少欧姆
对usb3.0的高速信号阻抗规范上写的是85+-9欧姆,对usb2.0的信号阻抗规定是75-105欧姆,为了pcb设计方便,一般就统一为90欧姆。阻抗值由pcb的走线宽度,差分线之间的距离,pcb介电常数以及pcb叠层之间的厚度决定
哪些东西需要做阻抗匹配、阻抗匹配的目的及布线的注意事项
用三极管画个非门
对目前工艺水平有什么了解、几nm工艺这个具体指的是什么,最先进是多少 栅极长度
通信原理:时域和频域的联系是什么、奈奎斯特定律是什么、IIR与FIR
画下I2C通信时序图、画下建立时间和保持时间、是同步通信还是异步通信?
心率采集的原理、画下电路图
布局布线的注意事项
Demo比较多、硬件工程师的意义