1、存储单元、寄存器和存储器的关系

2、SRAM
SRAM由存储矩阵、读写控制电路、地址译码器组成

SRAM：采用CMOS工艺的SRAM不仅正常工作的时候功耗很低，而且还能在降低电源电压的情况下保存数据，因此它可以在交流供电系统断电后用电池供电以继续保持存储器中的数据不丢失，用这种办法弥补半导体随机存储器数据易失的缺点。
双极性SRAM虽然工作速度比较快，但功耗很大，所以除了在某些超高速系统中还有应用外，一般就很少应用了。

若一个SRAM有10位地址线、8位数据线，则它的存储容量有多大？

存储容量=2地址线*数据线=210*8=8Kbit=1Kbyte=1000Byte=1M
3、DRAM
DRAM的总体结构：除了包含SRAM所具有的存储矩阵、读写控制单元、地址译码器外，还有一套刷新控制电路。了
DRAM需要刷新电路的原因：
DRAM的动态存储是利用MOS电容可以存储电荷的原理制成的。但是MOS电容的容量很小（通常为几皮法），而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存时间有限。为了及时补充漏掉的电荷以避免存储的信号丢失，必须定时地给电容补充电荷，这种操作叫做刷新或者再生。因此，DRAM工作时必须辅以必要的刷新控制电路（控制电路通常是在DRAM芯片内部的），同时也使操作复杂化了。
4、存储器容量的扩大
(1) 位扩展方法
如果每一片ROM或RAM中的字数已经够用而每个字的位数不够用，则应采用位拓展的连接方式，将多片ROM/RAM组成位数更多的存储器。

（2）字扩展方法
如果一片ROM/RAM中的位数够用但是字数不够用，则应采用字拓展的连接方法，将多片ROM/RAM组成字数更多的存储器。